靜電吸盤
概述
這些靜電吸盤設計用于夾住硅晶圓并使其保持平坦，從而使晶圓能夠均勻地散發從等離子體接收到的熱量。圣柏林的靜電吸盤具有出色的強度、導熱性和耐熱沖擊性，并且由于 圣柏林專有的體積電阻率控制技術，能夠適應較寬的溫度范圍。圣柏林擁有適合此應用的氮化鋁 (AlN) 和氧化鋁 (Al 2 O 3 ) 材料。
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優點
工作溫度范圍寬（-50~700℃）
這些靜電吸盤具有優異的強度、導熱性和耐熱沖擊性，并且通過 圣柏林專有的陶瓷體積電阻率控制，能夠適應較寬的溫度范圍。
高耐腐蝕性
這些靜電吸盤對鹵素氣體具有優異的耐腐蝕性。
低顆粒處理
通過表面處理和特殊清洗可實現低顆粒處理
高純度
純度可達 99.9% 或更高。
加熱功能
高精度加熱元件嵌入技術可與加熱器功能集成，晶圓溫度可控制在±1%以內。
冷卻功能
這些靜電吸盤通過將具有高導熱性的陶瓷板與冷卻板粘合在一起，具有極高的冷卻性能。
射頻電極
大塊金屬電極同時提供穩定的晶圓夾持和射頻等離子體生成。
規格
| 尺寸 | 兼容200、300和450mm晶圓 |
|---|---|
| 卡盤機構 | 圣柏林 (AlN)、（Al 2 O 3） |
| 電極形狀 | 單極/雙極 |
氮化鋁材料特性
| 氮化鋁 | ||||
|---|---|---|---|---|
| HA-12 | HA-37/38 | HA-50/51 | ||
| 純度 | （%） | 95 | 99 | 99 |
| 密度 | [克/立方厘米] | 3.3 | 3.3 | 3.3 |
| 體積電阻率 | [Ωcm](RT) | >1E+15 | 1E+8?+13 | >1E+15 |
| 導熱系數 | [W/mK](RT) | 170 | 100 | 80 |
| 熱膨脹系數 | （RT） | 5.7(1000℃) | 5.6(1000℃) | 5.6(1000℃) |
| 強度 | [兆帕](室溫) | >300 | >300 | >250 |
| 楊氏模量 | [GPa](RT) | 300 | 300 | 300 |
| 介電常數 | (13.56MHz、RT) | 8.6 | 8.8 | 8.6 |
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