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概述用于制造 300mm 硅片的真空加熱器基座。真空中溫度需要~650°C，304不銹鋼材料，底部有2.75 CF法蘭。用于提升晶圓的三個小頂面臺階和一個三銷放置位置以防止晶圓從加熱器上滑落。 |
特征
- 溫度650℃-700℃
- CF 2.75 底部真空法蘭，底座式
- 氦氣組裝完成時泄漏率為 1 x 10 -9 cc/sec He
- 加熱器頂部與 CF 法蘭之間的熱斷裂
- 內置熱電偶，用于過溫保護或控制未接地
- 用于讀取未接地底部溫度的附加 TC
- 1900 瓦 (± 10%)，240 伏
- 組件底部的安裝螺紋
- 材質：304不銹鋼
客服1